【ITBEAR科技资讯】6月6日消息，近日，全球领先的半导体设备制造商ASML已成功向英特尔交付并安装了世界首台商用High-NA EUV光刻机。英特尔院士马克・菲利普斯(Mark Phillips)确认，该机器预计年内将正式投入使用。

　　相较于英特尔的积极态度，全球芯片代工巨头台积电在采用这项新技术上显得更为谨慎。今年早些时候，在荷兰的一场活动中，当被问及是否有购买此类设备的计划时，台积电表示反对。该公司曾声明，在未来几年内并无需求引入高端的EUV光刻机，主要考虑到其高昂的价格。有分析师甚至预测，台积电可能要等到2030年或更晚才会采用High-NA EUV技术。

　　然而，经过数月的讨论与考量，台积电似乎已转变立场。ASML的发言人莫妮克・莫尔斯(Monique Mols)透露，公司计划在今年内向台积电交付一台价值3.8亿美元(约合27.53亿元人民币)的High-NA EUV光刻机。ASML首席财务官罗杰・达森(Roger Dassen)也证实，这台尖端设备将在年底前送达台积电，同时英特尔也将收到他们的设备。这一消息发布后，ASML的股价应声上涨超过6%。

　　在芯片制造领域，先进的技术光刻是衡量生产能力的关键因素。High-NA光刻技术有望进一步缩小芯片尺寸，据称能够降低66%的尺寸大小。在当前芯片制造中，尽管3nm和5nm工艺已不直接代表实际的栅极宽度，但行业仍在不断追求更小的尺寸。

　　据悉，新型EUV系统具有0.55的数值孔径，相较于之前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统，其精度有了显著提升，能够实现更为精细的图案化。

　　ASML官方还指出，这种High-NA机器的体积将比现有设备大出30%，而现有的机器已经相当庞大，甚至需要三架波音747才能运输。

　　另一方面，台积电在2nm工艺节点上的进展颇为顺利。公司计划于2025年下半年推出N3X和N2制程，并预计在2026年下半年开始量产N2P和A16制程。与3nm工艺不同，台积电的2nm工艺将采用环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)，据称相较于3nm工艺，其性能将提升10%至15%，同时功耗可降低25%至30%。

　　之前，有股东发言提及近华为发展晶圆代工相当积极，向台积电董事长刘德音请教如何评断，刘德音表示，台积电着重是自己发展的速度够不够快，台积电永远有竞争对手。

　　“至于华为会不会超越台积电，本来他想请总裁魏哲家回答，后来就直接说，总裁也不用回答了，因为但根本不可能。”刘德音说道。

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