华卓精科正在申请 IPO，这家公司以光刻机双工件台这一超精密机械领域的尖端产品为核心，与与国内的光刻机龙头厂商上海微电子保持良好的合作关系，并成为其光刻机双工件台的供应商。就技术水平而言，华卓精科的双工件台接近国际水平。如果能够顺利 IPO，则可以从资本市场融资用于双工件台技术研发，为光刻机国产化替代添砖加瓦。

　　通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有 5:1，也有 4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。

　　一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有 30 多层。

　　测量台、曝光台：承载硅片的工作台,也就是本次新闻里说的双工作台。一般的光刻机需要先测量，再曝光，只需一个工作台，而 ASML 有个专利，有两个工作台，实现测量与曝光同时进行。而本次“光刻机双工件台系统样机研发”项目则是在技术上突破 ASML 对双工件台系统的技术垄断。

　　能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。

　　光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。

　　能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。

　　物镜：物镜由 20 多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。

　　硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫 flat、notch。

　　内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

　　过去，光刻机只有一个工作台，所有流程都在一个工作台上完成。双工件台系统的出现，使得光刻机能够在不改变初始速度和加速度的条件下，当一个工作台在进行曝光工作的同时，另外一个工作台可以同时进行曝光之前的预对准工作，使得光刻机的生产效率提高大约 35%——ASML 的 TWINSCAN NXE3300B 型光刻机，分辨率小于 22nm，生产效率可以达到 125 片 / 小时。

　　虽然看起来仅仅是加一个工作台，但技术难度却不容小觑——对换台的速度和精度有非常高的要求，如果换台速度慢，则影响光刻机工作效率；如果换台精度不够，则可能因此而影响了后续扫描光刻等步骤的正常开展。

　　特别是对浸没式光刻机而言，由于物镜和硅片之间增加一层特殊的液体，如何使液体在换台使依旧停留在物镜和硅片之间，不因换台发生流动，则是一个不小的技术难题。另外，还有避免污染的问题。

　　现今技术成熟的双工件台系统主要是导轨式，驱动方式主要分为气浮驱动和磁悬浮驱动。目前，ASML 公司已成功研发了磁悬浮工件台系统，使得系统能够忽略摩擦系数和阻尼系数，其加工速度和精度是机械式和气浮式工件台所无法比拟的。不仅如此，ASML 公司基于磁悬浮工件台的基础，研发了无导轨式的平面编码磁悬浮工件台系统，通过平面编码器对工作台进行精确定位，进一步提升了精度。

　　目前，华卓精科的 DWS 系列双工件台主要适用于干式步进式扫描光刻机，可用于 65nm 及以上工艺节点 IC 前道光刻机。正在研发的 DWSi 系列双工件台适用于浸没式光刻机，可用于 45nm 及以下工艺节点 IC 前道光刻机。

　　光刻机被称为人类最精密复杂的机器，业界将其誉为集成电路产业皇冠上的明珠，研发的技术门槛和资金门槛非常高。也正是因此，能生产高端光刻机的厂商非常少，到最先进的 14nm 光刻机就只剩下 ASML，日本佳能和尼康已经基本放弃 EUV 光刻机的研发。

　　目前，光刻机领域的龙头老大是荷兰 ASML，并已经占据了高达 80%的市场份额，垄断了高端光刻机市场——最先进的 EUV 光刻机售价曾高达 1 亿美元一台，且全球仅仅 ASML 能够生产。Intel、台积电、三星都是它的股东，重金供养 ASML，并且有技术人员驻厂，Intel、三星的 14nm 光刻机都是买自 ASML，格罗方德、联电以及中芯国际等晶圆厂的光刻机主要也是来自 ASML。

　　相比之下，国内光刻机厂商则显得非常寒酸，处于技术领先的上海微电子装备有限公司已量产的光刻机中性能最好的是 90nm 光刻机 ...... 国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。

　　这不仅使国内晶圆厂要耗费巨资购买设备，对产业发展和自主技术的成长也带来很大不利影响——ASML 在向国内晶圆厂出售光刻机时有保留条款 ...... 这很大程度上影响了自主技术和中国集成电路产业的发展。

　　光源是光刻机的核心部件之一。在光刻机改进中，所使用的光源也不断改进发展：

　　目前，在集成电路产业使用的中高端光刻机采用的是 193nmArF 光源和 13.5nmEUV 光源。

　　193nmArF 也被称为申紫外光源。使用 193nmArF 光源的干法光刻机，其光刻工艺节点可达 45nm，采用浸没式光刻、光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点可达 28nm。

　　浸没式光刻是指在物镜和硅片之间增加一层特殊的液体，由于液体的折射率比空气的折射率高，因此成像精度更高。因此，也就有了浸没式光刻的叫法。

　　而当工艺尺寸缩小到 22nm 时，则必须采用辅助的两次图形曝光技术。然而使用两次图形曝光，会带来两大问题:一个是光刻加掩模的成本迅速上升，另一个是工艺的循环周期延长。因而，在 22nm 的工艺节点，光刻机处于 EUV 与 ArF 两种光源共存的状态。

　　对于使用液浸式光刻+多次图形曝光的 ArF 光刻机，工艺节点的极限是 10nm，之后将很难持续。EUV 光刻机，则有可能使工艺制程继续延伸到 5nm。

　　目前，虽然在双工件台上，华卓精科的产品可以用于 65nm 光刻机，但在光源、物镜等核心器件上，依然无法完全自主化。光刻机的国产化工作任重道远。关键字：引用地址：华卓精科申请IPO，光刻机的国产化工作任重道远

　　近年来，在以物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗电子和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求下，全球电子产品市场规模逐年扩大，带动了上游半导体行业的加速发展。 据SIA数据显示，在疫情的干扰下，2020年全球半导体销售额不减反增，达到4390亿美元，较2019年增长6.5%。同期，我国集成电路销售收入达到8848亿元，平均增长率为20%，是同期全球产业增速的3倍。 值得注意的是，作为半导体芯片制造的基石，目前全球半导体设备市场主要由国外厂商主导，行业呈现高度垄断的竞争格局，以应用材料、ASML为首的前五大半导体设备制造厂商，占据了全球半导体设备市场64.77%的市场份额。 而国内半导体设备的全球市场份额只有2%，设备自给

　　世界品牌 /

　　奥地利EV Group（EVG）宣布，为形成手机用相机模块高耐热镜头，芬兰Heptagon Oy采用了EVG的光刻机(Mask Aligner)“IQ Aligner”。EVG高级副总裁Hermann Waltl表示，Heptagon采用的是支持300mm晶圆的装置。该装置已提供给Heptagon的制造子公司——新加坡Heptagon Micro-Optics Pte。 Heptagon是于1993年成立的风险企业,目的是将芬兰赫尔辛基大学与瑞士约恩苏大学的微型光学元件的研究成果投入实用。该企业是唯一一家采用MEMS技术以低成本量产高耐热透镜的厂商，作为手机用透镜，在2006年由芬兰诺基亚采用的意法半导体（STMicr

　　，线年，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS) 宣布，正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备，并对外夸下海口：这套光刻机能够使用7nm生产芯片，可于2028年全面投产。 当时，IPF RAS计划在六年内打造出俄罗斯自产7nm光刻机的工业样机，2024 年将创建一台“Alpha机器”，2026创建 测试机 ，2026年～2028年俄罗斯本土光刻机将获得更强大的辐射源，改进的定位和进给系统，并将开始全面的工作，2028年，这些设备全面运行。 时隔两年，俄罗斯所说的真的实现了——首台光刻机正式制造成功并进入测试。 有实际意义的突破 据塔斯社报道，俄罗斯第一台能够生产最大350nm（行业一般说0.35μ

　　，真的制造成功了 /

　　半导体微影技术大厂艾司摩尔(ASML)公布2017第二季财报。 ASML在第二季新增8台EUV系统订单，让EUV微影系统的未出货订单累积到27台，总值高达28亿欧元。预估2017第三季营收净额约为22亿欧元，毛利率约为43%。 因为市场需求和第二季的强劲财务表现，ASML预估2017全年营收成长可达25%。 ASML总裁暨执行长温彼得(Peter Wennink)指出：「ASML今年的主要营收贡献来自内存芯片客户，尤其在DRAM市场需求的驱动下，这部分的营收预估将比去年成长50%，而来自逻辑芯片方面的营收也可望成长15%。除了DUV微影系统的业务持续成长，在EUV微影系统部分，未出货订单累积金额在第二季已经累积到28亿欧元，显示不

　　10奈米及7奈米等先进制程节点带动极紫外线(EUV)设备持续成长，看好未来潜在商机，半导体设备大厂艾司摩尔(ASML)也加速布局脚步，提升EUV设备出货量，计划于2018年达到出货20台， 2019年出货30台以上EUV设备的目标。 ASML总裁暨执行长Peter Wennink表示，该公司的第一季营收超出预期，主要原因除了来自于客户对于深紫外光(DUV)微影系统和全方位微影方案(Holistic Litho)的需求外，还有EUV的业务持续成长。 ASML于2018年第一季完成3台EUV系统的出货，另1台正准备出货中；且同时于第一季获得9台EUV设备--NXE:3400B的订单。 Wennink进一步说明，种种迹象来看，该公司看到

　　作为全球芯片光刻技术的佼佼者，荷兰光刻机生产企业阿斯麦（ASML）以“光刻未来，携手同行”为主题，即将亮相第三届进博会高端装备展区，呈现整体光刻解决方案。 光刻机是芯片制造中最重要的设备之一。“我们在中国大陆地区大大小小装机已经有700台，很多芯片制造企业都是我们多年的合作伙伴。”阿斯麦全球副总裁、中国区总裁沈波说，2020年第二、第三季度，公司发往中国大陆地区的光刻机台数超过了全球总台数的20%。 参加进博会，对阿斯麦而言，最大的契合点在于“开放合作”的理念，以及芯片行业全球开放协作的整体特点。 ↑正在搭建的阿斯麦展位，位于第三届进博会技术装备展区。（阿斯麦供图） “我们参加进博会是为了表达我们的立场，对开

　　：光刻未来，携手同行 /

　　据韩国先驱报报道，为在晶圆代工领域超越台积电，应对不断增长的半导体需求，三星电子向ASML订购15台先进EUV设备。 光刻机是克服半导体制造工艺最小化限制的关键设备，其单价高达2000亿韩元。据报道，三星电子最近发出一份意向书（LOI），向ASML购买价值3万亿韩元的EUV设备，交付分三年进行。业内人士表示，由于三星增加EUV设备订单，三星即将在新晶圆代工生产线上进行大规模投资。 三星电子订购的15台EUV设备占ASML今年总出货量的一半，2012年，三星电子收购ASML 3%的股份，并为光刻机的发展做出了贡献。为了超越晶圆代工龙头台积电，在如此大胆的投资基础上，通过提供技术竞争力来吸引客户是关键之举。 三星电子的客户包括高通、

　　12 月 27 日消息，佳能今年 10 月宣布 FPA-1200NZ2C，这是一款纳米压印光刻（NIL）半导体设备。 佳能社长御手洗富士夫近日表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。 佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在适当的位置形成复杂的 2D 或 3D 电路图案，因此只需要不断改进掩模，甚至能生产 2nm 芯片。 据报道，佳能的纳米压印光刻技术能够产生至少 5 纳米工艺尺寸的芯片，在目前由 ASML 主导的先进半导体制造设备市场，佳能的这项技术可以不断缩小和 ASML 的差距。 岩本和德在设备成本上表示，由

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